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另外7个模型为回归模型，时电预测绝缘体材料的带隙能（EBG），时电体积模量（BVRH），剪切模量（GVRH），徳拜温度（θD），定压热容（CP），定容热容（Cv）以及热扩散系数（αv）。为PLMF图中的顶点赋予各个原子独有的物理和化学性能（如原子在元素周期表中的位置、策４电负性、摩尔体积等），以此将不同的材料区分开。月１（f,g）靠近表面显示切换过程的特写镜头。
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作者进一步扩展了其框架，黑龙以提取硫空位的扩散参数，黑龙并分析了与由Mo掺杂剂和硫空位组成的不同配置的缺陷配合物之间切换相关的转换概率，从而深入了解点缺陷动力学和反应（图3-13）。
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时电（h-i）沿Al2O3101¯0和112¯0方向生长的MoS2/Al2O3界面的横截面HAADF-STEM图像。策４（b）C/A和C/M基板上成核阶段的四种可能的边缘配置。
月１文献链接：Epitaxialgrowthofwafer-scalemolybdenumdisulfidesemiconductorsinglecrystalsonsapphire.NatrueNanotechnology,2021,DOI:10.1038/s41565-021-00963-8.本文由CQR编译。日起（d）C/A基底上两个合并的MoS2畴的极化SHG映射。
